Manufacturer : Infineon Product Category : IGBT Modules RoHS : Details Product : IGBT Silicon Modules Configuration : Full Bridge Collector- Emitter Voltage VCEO Max : 1200 V Collector-Emitter Saturation Voltage : 2.5 V Continuous Collector Current at 25 C : 50 A Gate-Emitter Leakage Current : 300 nA Pd - Power Dissipation : 360 W Package/Case : EconoPIM3 Minimum Operating Temperature : - 40 C Maximum Operating Temperature : + 125 C Brand : Infineon Technologies Height : 17 mm Length : 122 mm
Ada masalah dengan produk ini?
ULASAN PEMBELI
5.0/ 5.0
100% pembeli merasa puas
1 rating • 0 ulasan
5
(1)100%
4
(0)0%
3
(0)0%
2
(0)0%
1
(0)0%
Belum ada ulasan untuk produk ini
Beli produk ini dan jadilah yang pertama memberikan ulasan